콜타르 핏치로부터 C형 및 Hollow형 탄소섬유를 제조하여 이에 Chemical Vapor Infiltration(CVI) 공정으로 SiC를 석출 또는 침투시킬 때 그 변수의 영향을 속도론적으로 고찰하고, 표면을 관찰하였다. SiC의 precursor인 Methyltrichlorosilane(MTS)의 물분율에 따라 SiC의 석출층의 성장 속도는 2~8㎛/hr로 직선적으로 증가하고 있으며, Chemical Vapor Deposition(CVD) 반응은 반응물질의 농도에 대해 1차 반응이었따. 950℃이하까지는 활성화 에너지가 211.3kJ/mol로서 표면반응이, 그 이상에서는 19.8kJ/mol로서 물질 전달이 각각 율속단계임을 알 수 있었으며 두영역에서의 표면 반응 속도 상수(ks)와 물질 전달 계수(β)를 분리할 수 있었다. 매트릭스 형성을 위해서는 CVD법으로 900℃에서 SiC 코팅을 한 다음 1100℃에서 5시간 동안 CVI에 의해 석출해도 보강재간의 가교가 형성될 수 있음을 확인하였다.

콜타르 핏치로부터 C형 및 Hollow형 탄소섬유를 제조하여 이에 Chemical Vapor Infiltration(CVI) 공정으로 SiC를 석출 또는 침투시킬 때 그 변수의 영향을 속도론적으로 고찰하고, 표면을 관찰하였다. SiC의 precursor인 Methyltrichlorosilane(MTS)의 물분율에 따라 SiC의 석출층의 성장 속도는 2~8㎛/hr로 직선적으로 증가하고 있으며, Chemical Vapor Deposition(CVD) 반응은 반응물질의 농도에 대해 1차 반응이었따. 950℃이하까지는 활성화 에너지가 211.3kJ/mol로서 표면반응이, 그 이상에서는 19.8kJ/mol로서 물질 전달이 각각 율속단계임을 알 수 있었으며 두영역에서의 표면 반응 속도 상수(ks)와 물질 전달 계수(β)를 분리할 수 있었다. 매트릭스 형성을 위해서는 CVD법으로 900℃에서 SiC 코팅을 한 다음 1100℃에서 5시간 동안 CVI에 의해 석출해도 보강재간의 가교가 형성될 수 있음을 확인하였다.