Original Article
  • Oxidation and Ablation Behavior of SiC-Coated Carbon/Carbon Composites
  • I.S. Park, I.S. Oh, J.I. Kim, H.J. Joo, W.K. Son, B.H. Kim
  • SiC 도포 탄소/탄소 복합재의 산화 및 삭마 거동
  • 박인서(국방과학연구소), 오인석(청양대학 소방안전관리과), 김정일(충남대학교 공과대학 고분자공학과), 주혁종(충남대학교 공과대학 고분자공학과), 손원근(충남대학교 공과대학 고분자공학과), 김병희(충남대학교 공과대학 재료공학과)
Abstract
CVI-핏치계 4방향성 탄소/탄소 복합재료(4 Directional Carbon/Carbon Composites ; 4D C/C)의 내산화성 및 내삭마 특성을 부여하기 위하여 팩 세멘테이션 공정으로 SiC를 도포하였다. 산화시험과 아크 플라즈마 토치시험을 통하여 SiC 도포가 4D C/C의 고온 산화와 삭마거동에 있어 어떠한 영향을 미치는가를 관찰하였다. SiC로 도포 처리하여 얻어진 4D C/C의 도포막은 β-Sic 이었다. 1350℃ 산화 후 SiC로 도포처리하지 않은 4D C/C는 완전히 산화되었으나, SiC로 도포 처리된 경우에는 1700℃ 산화 후에도 약 43%의 무게를 유지함으로서 내산화 효과가 우수하게 나타났다. 아크 플라즈마 토치 실험 후 4D C/C의 삭마율은 0.053 g/sec인 반면, SiC로 도포된 경우의 삭마율은 0.027 g/sec로 나타났다.

CVI-핏치계 4방향성 탄소/탄소 복합재료(4 Directional Carbon/Carbon Composites ; 4D C/C)의 내산화성 및 내삭마 특성을 부여하기 위하여 팩 세멘테이션 공정으로 SiC를 도포하였다. 산화시험과 아크 플라즈마 토치시험을 통하여 SiC 도포가 4D C/C의 고온 산화와 삭마거동에 있어 어떠한 영향을 미치는가를 관찰하였다. SiC로 도포 처리하여 얻어진 4D C/C의 도포막은 β-Sic 이었다. 1350℃ 산화 후 SiC로 도포처리하지 않은 4D C/C는 완전히 산화되었으나, SiC로 도포 처리된 경우에는 1700℃ 산화 후에도 약 43%의 무게를 유지함으로서 내산화 효과가 우수하게 나타났다. 아크 플라즈마 토치 실험 후 4D C/C의 삭마율은 0.053 g/sec인 반면, SiC로 도포된 경우의 삭마율은 0.027 g/sec로 나타났다.

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  • 1998; 11(4): 64-73

    Published on Aug 31, 1998

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